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标签:氮化镓衬底材质优缺点对比
氮化镓衬底:揭秘其优缺点,助力高效能半导体设计
氮化镓(GaN)衬底作为新型半导体材料,近年来在功率电子、射频通信等领域展现出巨大的应用潜力。相较于传统的硅衬底,氮化镓衬底具有更高的击穿电场、更低的导热系数和更宽的禁带宽度,使其在提高器件性能和降低...
2026-06-13
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